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    CE-C03-89BS3

    类别: 深圳圣斯尔SSET
    发布时间: 2015-02-03 15:08:47
    价格: ¥1
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    CE-C03-89BS3功率因数型隔离传感器/变送器

    一、产品概述:

      本产品采用电磁隔离原理设计,输入输出信号之间完全隔离。主要用于单相功率因数或三相功率因数的实时监测和监控,具有感性负载和容性负载测量功能。

    二、主型号为:
    ●CE-C02
    :应用于单相负载的功率因数检测;
    ●CE-C03
    :应用于三相负载的功率因数检测。

    三、产品特点:
    产品集单相/三相功率因素测量功能于一体,可通过设置开关切换为单相/三相的测量功能;
    具有相序自动判定功能,电压与电流输入信号无需分方向;
    具有单极性和感性、容性负载的测量功能,通过设置开关自由设定;
    可靠性高:隔离耐压≥2500VDC

    四、主要特性:
    检测范围:电压:0~500V;电流:0~500A
          功率因数0~1.00.05C~1.0~0.05L
    输出纹波:10mV
    温漂特性:≤200ppm/
    响应时间:≤250mS
    隔离耐压:≥2500VDC
    静态功耗:≤700mW
    电磁兼容:输入:浪涌电压:4kV(1.2/50uS)
          电源:浪涌电压:2kV(1.2/50uS)
          输出:浪涌电压:2kV(1.2/50uS)
          输入/输出/电源:群脉冲:±2kV(5KHz)
    负载能力:负载≥1KΩ(电压输出)
          负载≤250Ω(电流输出)
    工作环境:温度:-10~60℃;湿度:≤95%(不结露)

    五、产品特性选择表:CE-C03-89BS3

    产品类型

    输入性能

    输出类型

    辅助电源

    穿孔(mm

    外形

    精度

    输入量程范围

    CE-C

    01:单相功率因数

    30~5V DC(Vz)
    4
    0~20mA DC(Iz)
    5
    4~20mADC(Iy)
    6
    1~5VDC(Vy)
    8
    0~10VDC(Vd)

    212V~30V
    (
    宽电源)
    7
    48V注③
    8
    110V
    9
    220V

    Bф6.5

    S3

    0.5

    0~1-500V
    0~0.5-30A
    功率因数:0~1.00.05C~1.0~0.05L

    212V~30V
    (
    宽电源)

    Eф20

    0~1-500V
    0~0.5-300A
    功率因数:0~1.00.05C~1.0~0.05L

    03:三相功率因数

    212V~30V
    (
    宽电源)
    7
    48V注③
    8
    110V
    9
    220V

    Bф6.5

    0~1-500V
    0~0.5-30A
    功率因数:0~1.00.05C~1.0~0.05L

    212V~30V
    (
    宽电源)

    Eф20

    0~1-500V
    0~0.5-300A
    功率因数:0~1.00.05C~1.0~0.05L

    选型注意事项:
    注①当功率因数测量为0~1.0(无极性)时:
    输出可选为3:0-5V4:0-20mA5:4-20mA6:1-5V8:0-10V
    注②当功率因数测量为0.05C~1~0.05L(出厂默认)
    输出可选为3:2.5±2.5V4:10±10mA5:12±8mA6:3±2V8:5±5V
    注③非常规产品,根据客户需求生产,订货前请咨询我公司。
    注④选型示例:CE-C02-32BS3-0.5/100V*5A/0~1.0

    型号列举:

    CE-C01-32BS3       CE-C01-37BS3        CE-C01-38BS3        CE-C01-39BS3

    CE-C01-42BS3       CE-C01-47BS3        CE-C01-48BS3        CE-C01-49BS3

    CE-C01-52BS3       CE-C01-57BS3        CE-C01-58BS3        CE-C01-59BS3

    CE-C01-62BS3       CE-C01-67BS3        CE-C01-68BS3        CE-C01-69BS3

    CE-C01-82BS3       CE-C01-87BS3        CE-C01-88BS3        CE-C01-89BS3

    CE-C01-32ES3       CE-C01-42ES3        CE-C01-52ES3        CE-C01-62ES3

    CE-C01-82ES3       CE-C03-82ES3

    CE-C03-32BS3       CE-C03-37BS3        CE-C03-38BS3        CE-C03-39BS3

    CE-C03-42BS3       CE-C03-47BS3        CE-C03-48BS3        CE-C03-49BS3

    CE-C03-52BS3       CE-C03-57BS3        CE-C03-58BS3        CE-C03-59BS3

    CE-C03-62BS3       CE-C03-67BS3        CE-C03-68BS3        CE-C03-69BS3

    CE-C03-82BS3       CE-C03-87BS3        CE-C03-88BS3        CE-C03-89BS3

    CE-C03-32ES3       CE-C03-42ES3        CE-C03-52ES3        CE-C03-62ES3

    其他产品知识:

    传感器(transducer)的定义

      国家标准GB7665-87对传感器下的定义是:“能感受规定的被测量并按照一定的规律转换成可用信号的器件或装置,通常由敏感元件和转换元件组成”。传感器是一种检测装置,能感受到被测量的信息,并能将检测感受到的信息,按一定规律变换成为电信号或其他所需形式的信息输出,以满足信息的传输、处理、存储、显示、记录和控制等要求。它是实现自动检测和自动控制的首要环节。

      二、传感器的分类

      传感器的分类 可以用不同的观点对传感器进行分类:它们的转换原理(传感器工作的基本物理或化学效应);它们的用途;它们的输出信号类型以及制作它们的材料和工艺等。 根据传感器工作原理,可分为物理传感器和化学传感器二大类 传感器工作原理的分类物理传感器应用的是物理效应,诸如压电效应,磁致伸缩现象,离化、极化、热电、光电、磁电等效应。被测信号量的微小变化都将转换成电信号。 化学传感器包括那些以化学吸附、电化学反应等现象为因果关系的传感器,被测信号量的微小变化也将转换成电信号。 有些传感器既不能划分到物理类,也不能划分为化学类。大多数传感器是以物理原理为基础运作的。化学传感器技术问题较多,例如可靠性问题,规模生产的可能性,价格问题等,解决了这类难题,化学传感器的应用将会有巨大增长。 常见传感器的应用领域和工作原理列于表

      1.1 按照其用途,传感器可分类为: 压力敏和力敏传感器 位置传感器 液面传感器 能耗传感器 速度传感器 热敏传感器 加速度传感器 射线辐射传感器 振动传感器 湿敏传感器 磁敏传感器 气敏传感器 真空度传感器 生物传感器等。

      以其输出信号为标准可将传感器分为: 模拟传感器——将被测量的非电学量转换成模拟电信号。 数字传感器——将被测量的非电学量转换成数字输出信号(包括直接和间接转换)

       膺数字传感器——将被测量的信号量转换成频率信号或短周期信号的输出(包括直接或间接转换) 开关传感器——当一个被测量的信号达到某个特定的阈值时,传感器相应地输出一个设定的低电平或高电平信号。

      在外界因素的作用下,所有材料都会作出相应的、具有特征性的反应。它们中的那些对外界作用最敏感的材料,即那些具有功能特性的材料,被用来制作传感器的敏感元件。从所应用的材料观点出发可将传感器分成下列几类:

      (1)按照其所用材料的类别分:金属、聚合物、陶瓷、混合物

      (2)按材料的物理性质分导体、绝缘体、半导体、磁性材料

      (3)按材料的晶体结构分:单晶、多晶、非晶材料

    与采用新材料紧密相关的传感器开发工作,可以归纳为下述三个方向:

      (1)在已知的材料中探索新的现象、效应和反应,然后使它们能在传感器技术中得到实际使用。

      (2)探索新的材料,应用那些已知的现象、效应和反应来改进传感器技术。

      (3)在研究新型材料的基础上探索新现象、新效应和反应,并在传感器技术中加以具体实施。

       现代传感器制造业的进展取决于用于传感器技术的新材料和敏感元件的开发强度。传感器开发的基本趋势是和半导体以及介质材料的应用密切关联的。表1.2中给出了一些可用于传感器技术的、能够转换能量形式的材料。

      按照其制造工艺,可以将传感器区分为: 集成传感器薄膜传感器厚膜传感器陶瓷传感器 集成传感器是用标准的生产硅基半导体集成电路的工艺技术制造的。通常还将用于初步处理被测信号的部分电路也集成在同一芯片上。

      薄膜传感器则是通过沉积在介质衬底(基板)上的,相应敏感材料的薄膜形成的。使用混合工艺时,同样可将部分电路制造在此基板上。

      厚膜传感器是利用相应材料的浆料,涂覆在陶瓷基片上制成的,基片通常是Al2O3制成的,然后进行热处理,使厚膜成形。 陶瓷传感器采用标准的陶瓷工艺或其某种变种工艺(溶胶-凝胶等)生产。 完成适当的预备性操作之后,已成形的元件在高温中进行烧结。厚膜和陶瓷传感器这二种工艺之间有许多共同特性,在某些方面,可以认为厚膜工艺是陶瓷工艺的一种变型。 每种工艺技术都有自己的优点和不足。由于研究、开发和生产所需的资本投入较低,以及传感器参数的高稳定性等原因,采用陶瓷和厚膜传感器比较合理。(资料转载于互联网,仅作阅读参考,不做它用!)

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